電子部品・半導体商社のネクスティエレクトロニクス（NEXTY Electronics） » 部品検索 » カテゴリ/キーワード検索 » ディスクリート » トランジスタ » FET » MOSFET » シリコンNチャネルMOS形トランジスタ (DTMOSIV)
製品詳細
| 型名 | TK25V60X5 |
|---|---|
| 製品名 | シリコンNチャネルMOS形トランジスタ (DTMOSIV) |
| メーカー名 | 東芝 |
| 技術ファイル |
|
| EDA/CAD |
|
| 属性名称 | 属性値 |
|---|---|
| 作成日付 | 2016-03-11 |
| 最終改訂日付 | 2021-12-27 |
| 部品分類コード | XJA709 |
| 製品分類名称 | MOSFET |
| 製品供給状態 | 開発中 |
| パッケージ型名 | 2-8T1A/DFN8x8 |
| 本体長さ[Min] | 7.9mm |
| 本体長さ[Typ] | 8mm |
| 本体長さ[Max] | 8.1mm |
| 本体幅[Min] | 7.9mm |
| 本体幅[Typ] | 8mm |
| 本体幅[Max] | 8.1mm |
| 本体高さ[Min] | 0.75mm |
| 本体高さ[Typ] | 0.85mm |
| 本体高さ[Max] | 0.95mm |
| 実装方法 | 表面実装 |
| ピンピッチ[Typ] | 2mm |
| ピン数[Nom] | 5 |
| AEC規格準拠 | - |
| チャネル温度[Max] | 150Cel |
| 素子数[Nom] | 1 |
| チャネル型 | Nチャネル |
| ドレイン電流(DC)[Max] | 25A |
| ドレイン電流(パルス)[Max] | 100A |
| 許容損失[Max] | 180W |
| ゲートしきい値電圧[Min] | 3V |
| ゲートしきい値電圧[Max] | 4.5V |
| ドレイン・ソース間電圧[Max] | 600V |
| ゲート・ソース間電圧[Max] | 30V |
| ドレイン・ソース間電流[Max] | 100microA |
| ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Typ] | 0.125Ohm |
| ドレイン・ソース間オン抵抗@10V[Max] | 0.15Ohm |
| 駆動電圧@10V[Typ] | 10V |
| 熱抵抗2(j-mb or j-c or ch-c)[Max] | 0.694Cel/W |
