| 型名 | 2MBI300U4H-120 |
|---|---|
| 製品名 | IGBT MODULE |
| メーカー名 | 富士電機 |
| 技術ファイル |
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| EDA/CAD |
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| 製品概要 | Collector-Emitter voltage:1200V @VCES. Gate-Emitter voltage:+-20V @VGES. Collector Power Dissipation:1470W @PC. Junction temperature:150Cel @Tj. Storage tmeperature:-40 to 125Cel @Tstg |
| 属性名称 | 属性値 |
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| 作成日付 | 2006-02-09 |
| 最終改訂日付 | 2011-06-13 |
| 部品分類コード | XJA764 |
| 製品分類名称 | IGBTモジュール |
| 製品供給状態 | 量産体制 |
| 用途 | Collector-Emitter voltage:1200V @VCES. Gate-Emitter voltage:+-20V @VGES. Collector Power Dissipation:1470W @PC. Junction temperature:150Cel @Tj. Storage tmeperature:-40 to 125Cel @Tstg |
| 連絡先 | http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/sales.html |
| 保存温度[Min] | -40Cel |
| 保存温度[Max] | 125Cel |
| ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] | 800nA |
| コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] | 2.3V |
| ゲート・エミッタ間電圧[Max] | 20V |
| コレクタ電流(DC)[Max] | 400A |
| コレクタ電流(パルス)[Max] | 800A |
| コレクタ損失[Max] | 1470W |
| コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] | 4mA |
| 下降時間[Typ] | 70ns |
| 下降時間[Max] | 300ns |
| ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] | 8.5V |
| 等価回路 | 2素子タイプ |
| ゲート・エミッタ間遮断電圧[Min] | 4.5V |
| ゲート・エミッタ間遮断電圧[Max] | 8.5V |
| ターンオフ時間[Typ] | 410ns |
| ターンオフ時間[Max] | 1000ns |
| 順電圧[Typ] | 1.95V |
| トランジスタ部熱抵抗[Max] | 0.085Cel/W |
| ダイオード部熱抵抗[Max] | 0.14Cel/W |
