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製品詳細
| 型名 | 1MBI1000UG-330 |
|---|---|
| 製品名 | IGBT MODULE 3300V/1000A/1 in one package |
| メーカー名 | 富士電機 |
| 技術ファイル |
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| EDA/CAD |
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| 製品概要 | AISiC Baseplate. AIN DCB substrate. CTI to 600. Viso 6000 Vac. Low Inductance module structure. |
| 属性名称 | 属性値 |
|---|---|
| 作成日付 | 2013-10-15 |
| 最終改訂日付 | 2013-10-15 |
| 部品分類コード | XJA764 |
| 製品分類名称 | IGBTモジュール |
| ファミリ又はシリーズ名 | U series |
| 製品供給状態 | 量産体制 |
| 用途 | Traction drives, Industrial motor drives, Wind power, Chopper |
| 連絡先 | http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/ |
| 本体長さ[Typ] | 140mm |
| 本体長さ[Max] | 141mm |
| 本体幅[Typ] | 130mm |
| 本体幅[Max] | 131mm |
| 本体高さ[Typ] | 38mm |
| 本体高さ[Max] | 38.5mm |
| 実装方法 | フランジタイプ |
| 保存温度[Min] | -40Cel |
| 保存温度[Max] | 125Cel |
| 素子数[Nom] | 2 |
| 主要素材 | Si |
| ゲート・エミッタ間漏れ電流[Max] | 3200nA |
| コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Typ] | 2.59V |
| コレクタ・エミッタ間飽和電圧[Max] | 3.09V |
| ゲート・エミッタ間電圧[Max] | 20V |
| コレクタ電流(DC)[Max] | 1000A |
| コレクタ電流(パルス)[Max] | 2000A |
| コレクタ損失[Max] | 10.4kW |
| コレクタ・エミッタ間しゃ断電流[Max] | 1mA |
| 下降時間[Typ] | 0.5micros |
| コレクタ・エミッタ間電圧[Max] | 3300V |
| ターンオン時間[Typ] | 2.5micros |
| 上昇時間[Typ] | 1.8micros |
| ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Min] | 6V |
| ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Typ] | 6.75V |
| ゲート・エミッタ間しきい値電圧[Max] | 7.5V |
| 入力容量[Typ] | 200nF |
| ターンオフ時間[Typ] | 2micros |
| 逆回復時間[Typ] | 0.94micros |
| 熱抵抗(IGBT)[Max] | 0.012Cel/W |
| 熱抵抗(FRD)[Max] | 0.0225Cel/W |
| チャネル型 | Nチャネル |
| 等価回路 | 2素子タイプ |
| ゲート・エミッタ間遮断電圧[Min] | 6V |
| ゲート・エミッタ間遮断電圧[Max] | 7.5V |
| ターンオフ時間[Typ] | 2micros |
| 順電圧[Typ] | 2.51V |
| 順電圧[Max] | 3.11V |
| トランジスタ部熱抵抗[Max] | 0.012Cel/W |
| ダイオード部熱抵抗[Max] | 0.0225Cel/W |
| 絶縁耐圧[Min] | 6kV |
