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製品詳細
型名 | RKZ10B2KJ |
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製品名 | シリコンプレーナ形ツェナーダイオード サージ吸収用 定電圧用 |
メーカー名 | ルネサスエレクトロニクス |
技術ファイル | |
EDA/CAD |
属性名称 | 属性値 |
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最終改訂日付 | 2021-01-18 |
部品分類コード | XJA716 |
製品分類名称 | ツェナーダイオード |
ファミリ又はシリーズ名 | RKZ-KJシリーズ |
製品供給状態 | 新規設計非推奨 |
パッケージ型名 | UFP/SC-79/PWSF0002ZA-A |
本体長さ[Min] | 1.1mm |
本体長さ[Typ] | 1.2mm |
本体長さ[Max] | 1.3mm |
本体幅[Min] | 0.7mm |
本体幅[Typ] | 0.8mm |
本体幅[Max] | 0.9mm |
本体高さ[Min] | 0.5mm |
本体高さ[Typ] | 0.6mm |
本体高さ[Max] | 0.7mm |
実装方法 | 表面実装 |
ピン数[Nom] | 2 |
AEC規格準拠 | - |
最大接合部温度[Max] | 150Cel |
素子数[Nom] | 1 |
単方向素子数[Nom] | 1 |
双方向素子数[Nom] | 0 |
回路構成 | シングル |
ツェナー電圧/ブレークダウン電圧[Min] | 9.77V |
ツェナー電圧/ブレークダウン電圧[Max] | 10.21V |
許容損失[Max] | 150mW |
逆電流[Max] | 2microA |
動作抵抗[Max] | 30Ohm |
ツェナー電流(測定条件)[Typ] | 5mA |