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製品詳細
| 型名 | Si1012R-T1-E3 |
|---|---|
| 製品名 | N-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET |
| メーカー名 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 技術ファイル |
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| EDA/CAD |
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| 製品概要 | TrenchFET Power MOSFET:1.8-V Rated. Gate-Source ESD Protected:2000V. High-Side Switching. Low On-Resistance:0.7ohm. Low Threshold:0.8V typ. Fast Switching Speed:10ns |
| 属性名称 | 属性値 |
|---|---|
| 作成日付 | 2006-04-28 |
| 最終改訂日付 | 2006-04-28 |
| 部品分類コード | XJA755 |
| 製品分類名称 | サーキットプロテクタ |
| ファミリ又はシリーズ名 | Si1012R |
| 製品供給状態 | 廃止品 |
| 用途 | Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Displays,Memories. Battery Operated Systems. Power Supply Converter Circuits. Load/Power Switching Cell Phones,Pagers |
| パッケージ型名 | SC-75A /SOT-416 |
| 連絡先 | http://www.vishay.com |
| 実装方法 | 表面実装 |
