電子部品・半導体商社のネクスティエレクトロニクス（NEXTY Electronics） » 部品検索 » カテゴリ/キーワード検索 » IC » GaAsデバイス » GaAs FET » ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ
製品詳細
| 型名 | 3SK121 |
|---|---|
| 製品名 | ガリウムアルセナイドNチャネルデュアルゲートMES形トランジスタ |
| メーカー名 | 東芝 |
| 技術ファイル | |
| EDA/CAD |
|
| 製品概要 | 混変調特性が非常に優れています。帰還容量が小さい:Crss=20fF (標準)。低雑音です:NF=1.5dB (標準)。VDS=5Vで使用可能です。 |
| 属性名称 | 属性値 |
|---|---|
| 作成日付 | 2010-06-28 |
| 最終改訂日付 | 2014-10-14 |
| 部品分類コード | XJA690 |
| 製品分類名称 | GaAs FET |
| 製品供給状態 | 廃止品 |
| 用途 | TVチューナ、UHF高周波増幅用、TVチューナ、UHFミキサ用 |
| パッケージ型名 | 2-4F1A |
| 連絡先 | http://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html |
| 本体長さ[Max] | 4.2mm |
| 本体幅[Max] | 4.2mm |
| 本体高さ[Max] | 2.1mm |
| 実装方法 | 基板挿入 |
| ドレイン・ソース間電圧[Max] | 10V |
| ゲート・ソース間電圧[Max] | -6V |
| 飽和ドレイン電流[Min] | 20mA |
| 飽和ドレイン電流[Max] | 45mA |
| ピンチオフ電圧[Typ] | -2.5V |
| ピンチオフ電圧[Max] | -4V |
| 全許容損失[Max] | 200mW |
| 保存温度[Min] | -55Cel |
| 保存温度[Max] | 125Cel |
| チャネル温度[Max] | 125Cel |
| 雑音指数[Typ] | 1.5dB |
